Thứ Sáu, 1 tháng 8, 2014

THERMO – Máy quang phổ phát xạ Plasma ICPOES Thermo iCAP™ 7200 ICP-OES Duo THERMO iCAP™ 7200 ICP-OES Duo

Mọi thông tin xin liên hệ:

NGUYỄN HOÀNG LONG (Mr.)
Sales Manager
H/P    : 0932 664422
Tel     : (08). 66 570 570
Fax    : (08). 35 951 053
            www.thietbithinghiem.org
            www.thietbiquantracmoitruong.com
            www.thietbiphantichmoitruong.vn
            www.noithatphongthinghiem.com.vn
            www.noithatphongthinghiem.vn
            www.labfurniture.vn
            www.vattutieuhao.net

THERMO – Máy quang phổ phát xạ Plasma ICPOES Thermo iCAP™ 7200 ICP-OES Duo 
Model: iCAP™ 7200 ICP-OES Duo
Code: 8423 200 72001
Hãng sản xuất: THERMO – MỸ/ TRUNG QUỐC

 

Thermo iCAP™ 7200 ICP-OES Duo 

- Máy quang phổ phát xạ plasma (ICP) thế hệ mới nhất.
- Sản xuất năm:  2010, Đảm bảo thiết bị mới 100%
- Hệ thống đạt tiêu chuẩn ISO9001:2000, CE-marked, và các tiêu chuẩn an toàn điện, từ quốc tế liệt kê dưới đây:
LV Directive 73/23/EEC
EMC Directive 89/336/EEC
EN 61010-1:1993 including AMD 2: 1995
EN50082-1: 1992
IEC 801-2 (1984) 8KV
IEC 801-3 (1984) 3V/M; 27 MHZ to 500 MHZ
IEC 801-4 (1988) ‘1KV Power Lines; ±0.5KV Signal Lines
EN55011: (1991) Class A, Group 2

- Hệ thống ICP phân tích đồng thời các nguyên tố, độ phân giải cao (High resolution simultaneous ICP) có kết cấu hoàn hảo kết hợp tối ưu những tính năng linh hoạt, tốc độ, công suất cao của Hệ thống ICP đồng thời và tính linh hoạt, độ chính xác của Hệ thống ICP tuần tự
- Hệ thống thiết kế cho phép sử dụng chế độ đo plasma dọc trục (axial) và xuyên tâm (radial). Tự động lựa chọn, điều khiển thay đổi, căn chỉnh và tối ưu giữa hai chế độ trên bằng phần mềm trên toàn dải phổ và tại bất kỳ thời điểm nào trong quá trình đo 1 mẫu
- Đảm bảo tối ưu về độ nhạy của phép đo trong cả dải phổ, giảm thiểu nhiễu nền do hạn chế của mỗi kiểu quan sát
- Lĩnh vực ứng dụng: phân tích định lượng kim loại ở dạng hàm lượng lớn và lượng vết trong tất cả các lĩnh vực đòi hỏi phép phân tích ở độ nhạy cao, trong các lĩnh vực: phân tích kiểm tra hàm lượng kim loại, dược phẩm, thực phẩm và hoá chất, địa chất, khoáng vật, môi trường, dầu mỏ, thực phẩm và hoá chất, công nghệ mạ, nghiên cứu vật liệu ăn mòn, y tế,... Giới hạn phát hiện cỡ  ppb cho các nguyên tố đo được, giới hạn trên ở mức % đối với các nguyên tố lượng lớn trong các loại mẫu khác nhau đảm bảo dải làm việc rộng.
- Chế độ phân tích định tính đồng thời nhiều nguyên tố trên toàn bộ dải phổ sử dụng chế độ ghi nhận hình ảnh tín hiệu toàn bộ dải phổ (Full Frame Image) và so sánh với thư viện phổ chuẩn được cung cấp kèm theo khi cài đặt phần mềm. toàn bộ quá trình thực hiện phân tích định lượng hoàn toàn tự động bằng phần mềm, đây là đặc trưng ưu việt khi sử dụng detector CID.

Hệ thống bao gồm
Hệ thống quang học
- Hệ thống đa cách tử nhiễu xạ bao gồm: bộ đơn sắc thứ nhát là cách tử Echelle, hiện đại nhất hiện nay cho chất lượng ảnh phổ tốt nhất 52.91 vạch/mm với góc nghiêng 63.5o, bản quyền thiết kế của Hãng cho độ phân giải siêu cao, bộ tán sắc lăng kính thạch anh siêu tinh khiết với góc nghiêng 9,5oC
- Dải bước sóng hoạt động rộng: 166.250nm – 847.000nm đáp ứng mọi toàn bộ khoảng bước sóng phát xạ của các ứng dụng phân tích như Natri ở bước sóng 818.326nm...
- Độ phân giải 0.0035nm (3.5pm) cho pixel đáp ứng các yêu cầu khắt khe nhất của máy ICP về độ chính xác, độ lặp lại, độ tin cậy của kết quả...
- Toàn bộ hệ thống quang được cách ly, điều khiển ổn nhiệt đến 0.1oC và đựoc làm sạch nhờ dòng khí Ar hoặc N2
- Chiều dài tiêu cự: 383 mm
- Tỷ lệ hình ảnh: 1:1
- Tốc độ dòng khí trơ 2l/phút
- Khe đo quang: 7 pm tại bước sóng 200 nm, 3.5 pm trên pixel.

Bộ phận phát hiện (Detector)
Detector loại bán dẫn hiệu năng cao sử dụng công nghệ CID (Charge Injection Device) bản quyền của Hãng Therno Scientific là công nghệ tiên tiến nhất hiện nay được áp dụng cho máy ICP, đọc và xử lý đồng thời tín hiệu của tất cả các nguyên tố đo, cho chất lượng ảnh phổ tốt nhất, với độ tương phản cao và điểm cơ bản của Detector CCD, SCD mắc phải như sau:
+ Hiện tượng chồng chéo hoặc mù ảnh phổ do hiện tượng tràn điện tích (Blooming) trên pixel.
+ Hiện tượng kéo dài thời gian phục hồi điện tích (saturation) trên detector sau mỗi phép đo làm giảm tốc độ phân tích.
+ Hoạt động theo cơ chế truy cập ngẫu nhiên tích hợp (Random Access Integration - RAI) cho phép người sử dụng có thể lựa chọn nhiều bước sóng với tỷ lệ tín hiệu trên nhiễu tối ưu.
+ Sử dụng công nghệ đọc tín hiệu tức thời trong khi tiếp tục quá trình đo  (Nondestructive readout - NDRO) cho phép quan sát tất cả các điểm trong vùng phổ đo. Hạn chế được nhược điểm của các detector khác như: mất các tín hiệu yếu khi trong mẫu có nền (matrix) mạnh hoặc vạch phân tích không đặc trưng, mất các peak nhỏ ở bên cạnh peak lớn...
+ Thu nhận tín hiệu liên tục trong toàn bộ giải sóng.
+ Chế độ ghi nhận hình ảnh toàn bộ dải phổ (Full Frame Image), cho phép người sử dụng phân tích định tính tổng thể mẫu và phát triển các phương pháp phân tích.
+ Chế độ thu nhận tín hiệu của bước sóng theo thời gian, tối ưu hoá vùng quan sát. bước sóng có thể được điều khiển đồng thời cùng tốc độ tín hiệu
- Dải động học tới 109
- Detector được giữ lạnh ở - 45oC bằng phương pháp bằng bán dẫn (thermoelectric) khi máy hoạt động cho phép detector đạt độ ổn định tối đa. Chế độ bảo vệ kiểm soát khí làm sạch, nước làm mát.
-  Detector sử dụng pixel thu nhận tín hiệu. Toàn bộ detector bao gồm 291.600 pixel có địa chỉ riêng biệt trên 540x540 mảng cho phép bao phủ liên tục toàn dải các bước sóng phân tích đảm bảo tính đồng thời của phép đo trên các vùng sóng khác nhau (UV và Vis).
- Kích thước pixel: 27 x27 m

Chế độ đo: hai chế độ
- Dọc trục (axial) tăng độ nhậy phép phân tích
- Xuyên tâm (radial) giẩm ảnh hưởng của nhiễu nền.
- Tự động lựa chọn, điều khiển thay đổi, căn chỉnh và tối ưu giữa hai chế độ trên bằng phần mềm trên toàn dải phổ. Tối ưu về độ nhạy của phép đo trong cả dải phổ, giảm thiểu được nhiễu nền do hạn chế của mỗi kiểu quan sát.

Nguồn Plasma
- Máy phát RF được điểu khiển bằng công nghệ bán dẫn thể rắn (Solid state) không sử dụng đèn khuyếch đại cao tần, không cần bảo dưỡng. Nguồn được sản xuất đáp ứng các tiêu chuẩn an toàn Quốc tế như ISM (Industrial Medical Scientific).
- Sử dụng nguồn cao tần với tần số hoạt động: 27.12MHz, hiệu suất >78%
- Công suất nguồn phát từ 750 tới 1600W bước tăng 25W tự động điều khiển thiết đặt công suất nguồn bằng phần mềm, độ ổn định: < 0.1%. Nguồn phát công suất lớn cho phép người sử dụng tối ưu hoá công suất trong các ứng dụng khác nhau.
- Hệ thống đảm bảo an toàn sử dụng khoá an toàn liên động. Toàn bộ các thông số hoặt động hệ thống như: áp suất dòng khí, sụ ổn định của plasma, độ kín hệ thống, dòng nước làm lạnh... đều được kiểm soát độc lập và hiển thị trạng thái trên màn hình điều khiển. Khi có  dấu hiệu bất thường cho chỉ một yếu tố kiểm soát thì toàn bộ hệ thống sẽ được ngưng hoặt động để đảm bảo an toàn.

Bộ phận đưa mẫu tiêu chuẩn bao gồm:
Bơm mẫu: Bơm 4 kênh độ chính xác cao, tốc độ  0 – 125 vòng/phút tự động chuyển sang chế độ chờ khi tắt plasma đảm bảo độ bền.
- Nebulizer: loại Glass concentric
- Buồng phun: loại Glass cyclonic
- Torch plasma: là torch thạch anh loại 2mm có thể tháo lắp dễ dàng. Thiết kế đo dọc trục và xuyên tâm

Bộ phận cung cấp và điều khiển dòng khí
- Tốc độ cung cấp khí cho hệ thống được điều khiển hoàn toàn tự động từ máy tính thông qua phần mềm. Sử dung lưu lượng kế (mass flow control) cho độ chính xác cao nhất. Lưu lượng argon tiêu hao có thể thiết đặt tối ưu trong dải cho từng mục đính như sau:
+ Khí Nebulizer : 0 – 1.5 L/phút, mức tăng 0.1L/phút
+ Khí phụ trợ (Auxiliary): 0 – 2 L/phút, mức tăng 0.1L/phút
+ Khí làm mát (coolant): 0 – 20 L/phút, mức tăng 1L/phút

Phần mềm 
Phần mềm điều khiển và phân tích
- Phần mềm điều khiển toàn bộ hệ thống chạy trên hệ điều hành cập nhật nhất hiện nay MS Windows ,  dễ dàng điều khiển và xử lý kết quả  và cho phép đạt được các tính năng bảo - mật dữ liệu tốt nhất.
- Điều khiển tự động toàn bộ các thông số hoạt động của máy và các thành phần phụ trợ các chức năng: đánh lửa plasma, tốc độ dòng khí, vị trí quan sát, kiểm soát hệ thống an toàn liên động.
- Phân tích định lượng với bất kỳ vị trí pixel
- Tự động lựu chọn điểm nền
- Thiết đặt các chế độ tiêu chuẩn của hệ thống.
- Lựu chọn chế độ đo dọc trục hoặc xuyên tâm
- Thu nhận dữ liệu của từng phân mảng trên detector trong quá trình phân tích.
- Chế độ chồng nhiều phổ cho phát triển phương pháp
- Chức năng Full-frame, cho phép hiện tất cả các phổ có phát xạ dưới đanh hai chiều (cường độ và bước sóng)
- Chế độ bổ chính nền và mẫu trắng
- Thư viện các vạch phổ và chế độ tìm kiếm phổ.
- Chế độ kiểm tra QC
Phần mềm chuẩn máy
Báo cáo kết quả
Truy suất kết quả với các định dạnh khác nhau.

 Máy vi tính và máy in:
* Máy vi tính: Dell Optiplex 780 (hoặc tương đương)
-          Main: Q45
-          CPU: E7500
-          RAM: 2GB DDR3
-          HDD: 160GB
-          DVDWrite
-          Keyboard, mouse
-          Monitor: LCD 17”
* Máy in: HP 2055 (hoặc tương đương)

Thiết bị phụ trợ cần thiết đi kèm theo
- Bàn để máy
- Hệ thống làm mát bằng nước 
- Bộ hóa hơi dùng để phân tích các nguyên tố tạo hydrid như As, Sb, Bi, Hg, Se, Sn và Te với độ nhạy tăng từ 10-12 lần
- Hệ thống thoát khí thải: bộ hút khí độc từ buồng plasma và bộ hút khí nóng từ bộ nguồn cao tần, sử dụng mo-tor chuyên dụng, ống hút khí chế tạo bằng thép không gỉ.  Hệ thống hút khí xả đảm bảo ổn định môi trường làm việc
- Đường ống dẫn khí, cung cấp đầy đủ để dẫn khí từ bình chứa tới máy.
- Sách hướng dẫn sử dụng máy.
- Bình Argon,  3 bình 
- Van điều áp 2 thì
- Hoá chất chuẩn cho 50 nguyên tố kim loại thường dùng, chai 100ml cho 1 nguyên tố, nồng độ 1000ppm.

Lò vi sóng phá mẫu
Model: QLAB 8000
Hãng sản xuất: Questron Technology - Canada
Ứng dụng:
- Dùng để phá mẫu chuẩn bị mẫu cho các máy AAS, ICP....
- Có chương trình điều khiển nhiệt độ, áp suất, và công suất cho độ chính xác cao.
- Thích hợp cho việc phá mẫu các mẫu nhạy với môi trường, có hàm lượng hữu cơ cao.
- Có thư viện cho các mẫu cần phá (hơn 100 loại mẫu khác nhau), người sử dụng có thể tự thiết lập các chương trình phá mẫu, bao gồm cả các chương trình chuẩn EPA, và phương pháp NPDES không cần chuẩn máy.
- Hệ thống điều khiển công suất phá mẫu tự động cho các số lượng mẫu khác nhau.
- Đầu dò nhiệt độ bằng ánh sáng và điều khiển hệ thống Q-Sen kiểm tra liên tục 20 mili giây đảm bảo quá trình phá mẫu liên tục
- Các chức năng an toàn: công nghệ Q-Sens có khả năng chống quá nhiệt và quá áp bằng cách kiểm tra độ ổn định nguồn cấp một cách chính xác  và quan sát các giới hạn nhiệt độ; Module OPGuard cũng đảm bảo giới hạn áp suất. Hệ thống hút khí thải hút khói axit tạo ra.
- Áp suất điều khiển tối đa: 1500 psi
- Điều khiển nhiệt độ lên tới 230°C
- Lưu giữ các chương trình hoạt động, giữ liệu phá mẫu và các biểu đồ một cách tự động, hoạt động trên hệ điều hành Windows XP, và Windows 2000
- Có thể điều khiển áp suất và nhiệt độ trực tiếp và chính xác bằng việc sử dụng máy tính hoặc máy tính xách tay

Thông số kỹ thuật:
* Lò:
Công suất đầu ra: lên tới 1200W
Tần số từ trường: 2450MHz
Lưu lượng khí thải: 150 CFM
Kích thước: bên trong 39x34x30.5 cm (rộng x sâu x cao)
Lò có lớp chống ăn mòn PTFE; cửa có khóa an toàn, hó hệ thống anten quay đảm bảo độ đồng nhất nhiệt độ trong lò
* Giá mẫu: lượng mẫu tối đa 10 mẫu với bình UHP, VHP; 30 mẫu với bình LVHP
* Giới hạn nhiệt độ và áp suất điều khiển: 230°C; 1500 psi
* Nguồn điện: 220V, 50Hz

Cung cấp bao gồm:
- Lò QLAB800 và phần mềm điều khiển
- Giá để mẫu: UHP loại giá 10 mẫu , 10 ống mẫu UHP tiêu chuẩn chịu áp suất, bao gồm cả Sensor Q-Sens cho áp suất nhiệt độ và bộ bảo vệ mẫu OPGuard; ống thoát khí (10 ống)
- Kit bảo dưỡng máy

Ổn áp 10 KVA
- DD chuẩn của 50 chỉ tiêu kim loại

Không có nhận xét nào:

Đăng nhận xét